BCW51B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW51B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BCW51B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW51B даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BCW48B, BCW48C, BCW49, BCW49B, BCW49C, BCW50, BCW51, BCW51A, TIP120, BCW52, BCW54, BCW55, BCW56, BCW56A, BCW56B, BCW57, BCW57A