BCW60FF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCW60FF
Маркировка: AFs
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BCW60FF
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCW60FF даташит
bcw60alt.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCW60ALT1/D BCW60ALT1 General Purpose Transistors BCW60BLT1 NPN Silicon COLLECTOR BCW60DLT1 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Emitter Voltage VCEO 32 Vdc Collector Base Voltage VCBO 32 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 5.0
bcw60.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 BCW60 series NPN general purpose transistors Product data sheet 1999 Apr 22 Supersedes data of 1997 Mar 10 NXP Semiconductors Product data sheet NPN general purpose transistors BCW60 series FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 coll
bcw60 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BCW60 series NPN general purpose transistors 1999 Apr 22 Product specification Supersedes data of 1997 Mar 10 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors BCW60 series FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS
bcw60a b c d.pdf
BCW60A/B/C/D General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 32 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG
Другие транзисторы: BCW60A, BCW60ALT1, BCW60B, BCW60BLT1, BCW60C, BCW60CLT1, BCW60D, BCW60DLT1, A1015, BCW60FN, BCW60RA, BCW60RB, BCW60RC, BCW60RD, BCW61, BCW61ALT1, BCW61BLT1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet









