Справочник транзисторов. BCW60FN

 

Биполярный транзистор BCW60FN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW60FN
   Маркировка: AN_ANs
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 380
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCW60FN Datasheet (PDF)

 9.1. Size:425K  motorola
bcw60alt.pdfpdf_icon

BCW60FN

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW60ALT1/DBCW60ALT1General Purpose TransistorsBCW60BLT1NPN SiliconCOLLECTORBCW60DLT131BASE32EMITTER12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCollectorBase Voltage VCBO 32 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0

 9.2. Size:120K  philips
bcw60.pdfpdf_icon

BCW60FN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088BCW60 seriesNPN general purpose transistorsProduct data sheet 1999 Apr 22Supersedes data of 1997 Mar 10 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistors BCW60 seriesFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 coll

 9.3. Size:48K  philips
bcw60 3.pdfpdf_icon

BCW60FN

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BCW60 seriesNPN general purpose transistors1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 10Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BCW60 seriesFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS

 9.4. Size:76K  fairchild semi
bcw60a b c d.pdfpdf_icon

BCW60FN

BCW60A/B/C/DGeneral Purpose Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 32 V VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SD5041Q | BCX19LT1G | 2N5932 | K2111A | NA11EI | NPS1613 | BU931ZT

 

 
Back to Top

 


 
.