BCW61DLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW61DLT1

Маркировка: BD

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 380

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для BCW61DLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW61DLT1 даташит

 8.1. Size:331K  nxp
bcw61b bcw61c bcw61d.pdfpdf_icon

BCW61DLT1

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 8.2. Size:555K  infineon
bcw61a bcw61b bcw61c bcw61d bcx71g bcx71h bcx71j bcx71k.pdfpdf_icon

BCW61DLT1

BCW61..., BCX71... PNP Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications 2 3 High current gain 1 Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types BCW60, BCX70 (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCW61A BAs 1=B 2=E 3=C SO

Другие транзисторы: BCW60RB, BCW60RC, BCW60RD, BCW61, BCW61ALT1, BCW61BLT1, BCW61CLT1, BCW61D, 2N2222A, BCW61FF, BCW61FN, BCW61RA, BCW61RB, BCW61RC, BCW61RD, BCW62, BCW63