BCW61RC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCW61RC

Маркировка: BR_YC

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 125

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCW61RC

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW61RC даташит

 9.1. Size:394K  motorola
bcw61blt.pdfpdf_icon

BCW61RC

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCW61BLT1/D BCW61BLT1 General Purpose Transistors BCW61CLT1 PNP Silicon COLLECTOR BCW61DLT1 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 32 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 32 Vdc Emitter Base Voltage VEB

 9.2. Size:48K  philips
bcw61 3.pdfpdf_icon

BCW61RC

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BCW61 series PNP general purpose transistors Product specification 1999 Apr 12 Supersedes data of 1997 May 28 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCW61 series FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS

 9.3. Size:120K  philips
bcw61.pdfpdf_icon

BCW61RC

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 BCW61 series PNP general purpose transistors Product data sheet 1999 Apr 12 Supersedes data of 1997 May 28 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose transistors BCW61 series FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 coll

 9.4. Size:46K  fairchild semi
bcw61a b c d.pdfpdf_icon

BCW61RC

BCW61A/B/C/D General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -32 V VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current -100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW

Другие транзисторы: BCW61BLT1, BCW61CLT1, BCW61D, BCW61DLT1, BCW61FF, BCW61FN, BCW61RA, BCW61RB, S9014, BCW61RD, BCW62, BCW63, BCW63A, BCW63B, BCW63C, BCW64, BCW64A