Биполярный транзистор BCW69LT1 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BCW69LT1
Маркировка: H1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BCW69LT1 Datasheet (PDF)
bcw69lt1 bcw70lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW69LT1/DGeneral Purpose TransistorsBCW69LT1PNP SiliconBCW70LT1COLLECTOR313BASE12 2EMITTERCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 45 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current Continuous IC 100
bcw69 bcw70.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETok, halfpageM3D088BCW69; BCW70PNP general purpose transistors1999 Apr 19Product specificationSupersedes data of 1997 Mar 06Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistors BCW69; BCW70FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3
bcw69 bcw70 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBCW69; BCW70PNP general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Feb 06Supersedes data of 1999 Apr 19NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose transistors BCW69; BCW70FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose
bcw69-bcw70.pdf

BCW69BCW70SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORSType MarkingBCW69 H1BCW70 H2 SILICON EPITAXIAL PLANAR PNPTRANSISTORS MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR 2APPLICATION IN SURFACE MOUNTING3CIRCUITS1 LOW LEVEL AUDIO AMPLIFICATION ANDSWITCHINGSOT-23INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitV Collector-Emitter Voltage (V = 0) -50 VCES BEVCE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BCW33LT3G | 2N6208 | 2N3338 | TF71 | ISA1399AS1 | FMMT5551
History: BCW33LT3G | 2N6208 | 2N3338 | TF71 | ISA1399AS1 | FMMT5551



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726