Справочник транзисторов. BCX56-10

 

Биполярный транзистор BCX56-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCX56-10
   Маркировка: BK
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для BCX56-10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCX56-10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1257K  nxp
bcp56 bcp56-10 bcp56-16 bcx56 bcx56-10 bcx56-16 bc56pa bc56-10pa bc56-16pa.pdfpdf_icon

BCX56-10

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 ..2. Size:520K  infineon
bcx54-16 bcx55 bcx55-16 bcx56 bcx56-10 bcx56-16.pdfpdf_icon

BCX56-10

BCX54 ...- BCX56...NPN Silicon AF Transistors1 For AF driver and output stages2 High collector current 32 Low collctor-emitter saturation voltage Complementary types: BCX51...BCX53 (PNP) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageBCX54-16 BD 1=B 2=C 3=E SOT89 BCX55 BE 1=B 2=C 3=E SOT89 BCX55-16

 ..3. Size:806K  mcc
bcx56 bcx56-10 bcx56-16.pdfpdf_icon

BCX56-10

BCX56/BCX56-10/BCX56-16Electrical Characteristics @ 25C Unless Otherwise SpecifiedParameter Symbol Min Typ Max Units ConditionsV(BR)CBO 100 IC=100A, IE=0Collector-Base Breakdown Voltage VV(BR)CEO IC=10mA, IB=0Collector-Emitter Breakdown Voltage 80 VV(BR)EBO IE=10A, IC=0Emitter-Base Breakdown Voltage 5 VICBO VCB=30V, IE=0Collector-Base Cutoff Current 0.1 AIEBO VEB=

 ..4. Size:675K  lge
bcx54 bcx54-10 bcx54-16 bcx55 bcx55-10 bcx55-16 bcx56 bcx56-10 bcx56-16.pdfpdf_icon

BCX56-10

BCX54-BCX56 NPN Silicon AF TransistorsSOT-894.6B4.41.61.81.41.4Features2.64.252.43.75 For AF driver and output stages 0.8MIN0.53High collector current 0.400.480.442x)0.13 B0.35 0.371.5 Low collector-emitter saturation voltage 3.0 Complementary types:BCX51BCX53(PNP)Dimensions in inches and (millimeters)Ordering InformationT

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SA1010 | EN3906 | KT340D | NSBC114YPDP6T5G

 

 
Back to Top

 


 
.