BCX68. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCX68
Маркировка: CA_CE_-CE
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BCX68
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCX68 даташит
bcx68.pdf
NPN Silicon AF Transistors BCX 68 For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary type BCX 69 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BCX 68 Q62702-C1572 B C E SOT-89 BCX 68-10 CB Q62702-C1864 BCX 68-16 CC Q62702-C1865 BCX 68-25 CD Q62702-C1866 Maximum Rat
bcx68.pdf
SOT89 NPN SILICON PLANAR BCX68 MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 3 FEBRUARY 2007 FEATURES * High gain and low saturation voltages C COMPLEMENTARY TYPE BCX69 PARTMARKING DETAIL BCX68 CE E BCX68-16 CC C BCX68-25 CD B SOT89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO 25 V Collector-Emitter Voltage VCEO 20 V Emitter-Base
bcx68.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors BCX68 (KCX68) 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=1A Collector Emitter Voltage VCEO=20V High gain and low saturation voltages 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 25 Collector - Emitter Voltage VCEO 2
cbcx68 cbcx69.pdf
CBCX68 SERIES NPN CBCX69 SERIES PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCX68 and SMALL SIGNAL TRANSISTORS CBCX69 series types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability. MARKI
Другие транзисторы: BCX59-9, BCX59IX, BCX59VII, BCX59X, BCX60, BCX60-4, BCX60-5, BCX60-6, TIP120, BCX68-10, BCX68-16, BCX68-25, BCX69, BCX69-10, BCX69-16, BCX69-25, BCX70
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312







