Биполярный транзистор BCX68-16 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BCX68-16
Маркировка: CC_-CC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
Аналог (замена) для BCX68-16
BCX68-16 Datasheet (PDF)
cbcx68-16.pdf

CBCX68 SERIES NPNCBCX69 SERIES PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCX68 and SMALL SIGNAL TRANSISTORSCBCX69 series types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability.MARKI
cbcx68-25.pdf

CBCX68 SERIES NPNCBCX69 SERIES PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCX68 and SMALL SIGNAL TRANSISTORSCBCX69 series types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability.MARKI
bcx68.pdf

NPN Silicon AF Transistors BCX 68 For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: BCX 69 (PNP)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BCX 68 Q62702-C1572 B C E SOT-89BCX 68-10 CB Q62702-C1864BCX 68-16 CC Q62702-C1865BCX 68-25 CD Q62702-C1866Maximum Rat
cbcx68 cbcx69.pdf

CBCX68 SERIES NPNCBCX69 SERIES PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCX68 and SMALL SIGNAL TRANSISTORSCBCX69 series types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for applications requiring high current capability.MARKI
Другие транзисторы... BCX59VII , BCX59X , BCX60 , BCX60-4 , BCX60-5 , BCX60-6 , BCX68 , BCX68-10 , 2N2907 , BCX68-25 , BCX69 , BCX69-10 , BCX69-16 , BCX69-25 , BCX70 , BCX70G , BCX70GLT1 .
History: MMBT3906-G
History: MMBT3906-G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437