Биполярный транзистор 2N1010 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1010
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.02 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.002 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO1
2N1010 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1005 , 2N1006 , 2N1007 , 2N1008 , 2N1008A , 2N1008B , 2N1009 , 2N101 , 8050 , 2N1011 , 2N101-13 , 2N1012 , 2N1013 , 2N1014 , 2N1015 , 2N1015A , 2N1015B .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050