Биполярный транзистор BCY65EP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCY65EP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
Другие транзисторы... BCY65 , BCY65E , BCY65E7 , BCY65E8 , BCY65E9 , BCY65EA , BCY65EB , BCY65EC , 2SC2625 , BCY65EP-7 , BCY65EP-8 , BCY65EP-9 , BCY65EPA , BCY65EPB , BCY65EPC , BCY65IX , BCY65VII .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050