BD111 - описание и поиск аналогов

 

BD111. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD111

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD111 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD109, BD109-10, BD109-16, BD109-6, BD109A, BD109B, BD109C, BD109D, D209L, BD111A, BD112, BD113, BD115, BD116, BD117, BD118, BD119

 

 

 

 

↑ Back to Top
.