BD111A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD111A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BD111A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD111A даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BD109-10, BD109-16, BD109-6, BD109A, BD109B, BD109C, BD109D, BD111, 2N4401, BD112, BD113, BD115, BD116, BD117, BD118, BD119, BD120
History: HVT400 | CTN391 | CT767
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647
