BD142-4 - описание и поиск аналогов

 

BD142-4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD142-4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 45 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD142-4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD142-4 даташит

 9.1. Size:75K  comset
 bd142.pdf pdf_icon

BD142-4

BD142 NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS LF Large Signal Power Amplification Low Saturation Voltage High Dissipation Rating Intended for a wide variety of intermediate-power applications. It is especially suited for use in audio and inverter circuits at 12 volts. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VCEO Collector-Emitter Voltage 45

 9.2. Size:204K  inchange semiconductor
 bd142.pdf pdf_icon

BD142-4

isc Silicon NPN Power Transistor BD142 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS LF large signal power amplification. Intended for a wide variety of intermediate power applications. Suited for use in audio and inverter circuits at 12V. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы: BD139G, BD140, BD140-10, BD140-16, BD140-6, BD140G, BD141, BD142, D882, BD142-5, BD142-6, BD142-7, BD144, BD145, BD148, BD148-10, BD148-16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.