BD149-10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD149-10
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BD149-10
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD149-10 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BD145, BD148, BD148-10, BD148-16, BD148-6, BD148B, BD148C, BD149, BC327, BD149-6, BD149B, BD150, BD150A, BD150B, BD150C, BD151, BD152
History: BTA1514M3 | BSX38A | BSS68
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640
