BD150. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO38
Аналоги (замена) для BD150
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD150 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BD148-16, BD148-6, BD148B, BD148C, BD149, BD149-10, BD149-6, BD149B, 2SC4793, BD150A, BD150B, BD150C, BD151, BD152, BD153, BD154, BD1540
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet
