Справочник транзисторов. BD158

 

Биполярный транзистор BD158 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD158
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 325 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD158

 

 

BD158 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  motorola
bd157 bd158 bd159.pdf

BD158
BD158

Order this documentMOTOROLAby BD157/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD157BD158Plastic Medium Power NPNBD159Silicon Transistor. . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and otherconsumer product applications. 0.5 AMPEREPOWER TRANSISTORS Suitable for Transformerless, LineOperated EquipmentNPN SILICON Thermopad{ Construction Provides

 ..2. Size:38K  fairchild semi
bd157 bd158 bd159.pdf

BD158
BD158

BD157/158/159Low Power Fast Switching Output Stages For T.V Radio Audio Output AmplifiersTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : BD157 275 V : BD158 325 V : BD159 375 V VCEO Collector-Emitter Voltage : BD157 250 V : BD158 300

 ..3. Size:85K  cdil
bd157 bd158.pdf

BD158
BD158

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORS BD157, BD158TO-126Designed For Power Output Stages for Television, Radio, Phonograph And Other Consumer Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BD157 BD158 UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 250 300 VCollector -Base Voltage VCBO

 ..4. Size:205K  inchange semiconductor
bd158.pdf

BD158
BD158

isc Silicon NPN Power Transistor BD158DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 30~240(Min) @ I = 50mAFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power output stages for television, radio,phonograph and other consumer product applications.ABSOL

Другие транзисторы... BD153 , BD154 , BD1540 , BD155 , BD1550 , BD156 , BD1560 , BD157 , 2SC1815 , BD159 , BD160 , BD161 , BD162 , BD163 , BD165 , BD166 , BD167 .

 

 
Back to Top