BD180. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD180
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для BD180
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD180 даташит
bd176 bd178 bd180.pdf
BD176/178/180 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD 175/177/179 respectively TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO *Collector-Base Voltage BD176 - 45 V BD178 - 60 V BD180 - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD176 -
bd175 bd176 bd177 bd178 bd179 bd180.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BD176 EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175 BD178 BD177 BD180 BD179 NPN PNP TO126 Plastic Package E C B Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BD175 BD177 BD179 UNIT BD176 BD178 BD180 Collector -Emitter Voltage VCE
bd176 bd178 bd180.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD176 BD178 BD180 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type BD175 /177 /179 APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER COND
bd180.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD180 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40-250(Min)@ I = -0.15A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -80V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD179 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие транзисторы: BD177-10, BD177-6, BD178, BD178-10, BD178-6, BD179, BD179-10, BD179-6, 2N2907, BD180-10, BD180-6, BD181, BD182, BD183, BD184, BD185, BD186
History: C50-28 | DDTC114TCA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet






