Биполярный транзистор BD195 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD195
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO220
BD195 Datasheet (PDF)
0.1. Size:162K shantou-huashan
hbd195.pdf
hbd195.pdf
N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD195 APPLICATIONS . .Medium Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050