BD234-10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD234-10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD234-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD234-10 даташит

 9.1. Size:62K  st
bd234.pdfpdf_icon

BD234-10

BD234 SILICON PNP TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The BD234 is a silicon epitaxial-base PNP power transistor in Jedec SOT-32 plastic package inteded for use in medium power linear and switching applications. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) -

 9.2. Size:37K  fairchild semi
bd234 bd236 bd238.pdfpdf_icon

BD234-10

BD234/236/238 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD 233/235/237 respectively TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD234 - 45 V BD236 - 60 V BD238 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD234 -

 9.3. Size:43K  samsung
bd234 bd236 bd238.pdfpdf_icon

BD234-10

BD234/236/238 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LINEAR AND TO-126 SWITCHING APPLICATIONS Complement to BD 233/235/237 respectively ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage BD234 VCBO - 45 V BD236 - 60 V BD238 - 100 V Collector Emitter Voltage BD234 VCEO - 45 V 1. Emitter 2.Collector 3.Base BD236 - 60 V BD238 - 8

 9.4. Size:144K  onsemi
bd237g bd234g bd238g.pdfpdf_icon

BD234-10

BD237G (NPN), BD234G, BD238G (PNP) Plastic Medium Power Bipolar Transistors Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. http //onsemi.com Features 2.0 AMPERES High DC Current Gain POWER TRANSISTORS Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in 25 WATTS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* PNP NPN

Другие транзисторы: BD232, BD232G, BD233, BD233-10, BD233-16, BD233-6, BD233G, BD234, BC547B, BD234-16, BD234-6, BD234G, BD235, BD235-10, BD235-16, BD235-6, BD235G