2N2854-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2854-1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: MT27

 Аналоги (замена) для 2N2854-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2854-1 даташит

 9.1. Size:433K  rca
 2n2857.pdf pdf_icon

2N2854-1

 9.2. Size:62K  central
 2n2857 2n3839.pdf pdf_icon

2N2854-1

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:197K  semelab
 2n2857c1b.pdf pdf_icon

2N2854-1

SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 2N2857C1 High Current Gain-Bandwidth Product (fT) Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For High Gain, Low Noise Amplifier, Oscillator and Mixer Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 30V VCEO Collector Emitt

 9.4. Size:196K  semelab
 2n2857c1.pdf pdf_icon

2N2854-1

SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 2N2857C1 High Current Gain-Bandwidth Product (fT) Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For High Gain, Low Noise Amplifier, Oscillator and Mixer Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 30V VCEO Collector Emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2852-1, 2N2852-2, 2N2852-3, 2N2853, 2N2853-1, 2N2853-2, 2N2853-3, 2N2854, 2SC828, 2N2854-2, 2N2854-3, 2N2855, 2N2855-1, 2N2855-2, 2N2855-3, 2N2856, 2N2856-1