BD240C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD240C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BD240C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD240C даташит
bd239c bd240c.pdf
BD239C BD240C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS BD239C IS ST PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The BD239C is a silicon epitaxial-base NPN transistor mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is inteded for use in medium power linear and switching applications. 3 The PNP complementary type is BD240C. 2 1 TO-220 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symb
bd240c.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR BD 240C (BPL) TO-220 Complementary Silicon transistor Intended For A Wide Variety Of Switching & Amplifier Applications,Series And Shunt Regulators, Driver And Output Stages of HI-FI Amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNI
bd240 bd240a bd240b bd240c.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD240/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -h = 40(Min)@ I = -0.2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BD240; -60V(Min)- BD240A CEO(SUS) -80V(Min)- BD240B; -100V(Min)- BD240C Complement to Type BD239/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium
bd240 a b c.pdf
BD240/A/B/C Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD239/A/B/C respectively TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Base Voltage BD240 - 45 V BD240A - 60 V BD240B - 80 V BD240C - 100 V VCER Collector-Emitter Volta
Другие транзисторы: BD239B, BD239C, BD239D, BD239E, BD239F, BD240, BD240A, BD240B, 2SA1943, BD240D, BD240E, BD240F, BD241, BD241A, BD241B, BD241C, BD241D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo





