BD242B datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD242B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BD242B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD242B даташит
bd241b bd241c bd242b bd242c.pdf
Order this document MOTOROLA by BD241B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD241B Complementary Silicon Plastic BD241C* Power Transistors PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD242B Collector Emitter Saturation Voltage VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc BD242C* Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 80 V
bd241c bd242b bd242c.pdf
BD241C (NPN), BD242B (PNP), BD242C (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors www.onsemi.com Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. POWER TRANSISTORS Features COMPLEMENTARY High Current Gain - Bandwidth Product SILICON Compact TO-220 AB Package 3 AMP Epoxy Meets UL94 V-0 @ 0.125 in 80-100 VOLTS These Devices are Pb-F
bd242 bd242a bd242b bd242c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD242/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -h = 25(Min)@ I = -1.0A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BD242; -60V(Min)- BD242A CEO(SUS) -80V(Min)- BD242B; -100V(Min)- BD242C Complement to Type BD241/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION
bd241bfp bd242bfp.pdf
BD241BFP BD242BFP COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT) APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS 3 DESCRIPTION 2 1 The BD241BFP is silicon epitaxial-base NPN transistors mounted in TO-220FP fully molded TO-220FP isol
Другие транзисторы: BD241A, BD241B, BD241C, BD241D, BD241E, BD241F, BD242, BD242A, 2N2222A, BD242C, BD242D, BD242E, BD242F, BD243, BD243A, BD243B, BD243C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor









