Биполярный транзистор BD246 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD246
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO218
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BD246 Datasheet (PDF)
bd246.pdf

BD246, BD246A, BD246B, BD246CPNP SILICON POWER TRANSISTORSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGEBD245 Series(TOP VIEW) 80 W at 25C Case TemperatureB1 10 A Continuous Collector Current 15 A Peak Collector Current 2C Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in
bd246 bd246a bd246b bd246c.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD246/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -10ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)- BD246; -60V(Min)- BD246A(BR)CEO-80V(Min)- BD246B; -100V(Min)- BD246CComplement to Type BD245/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose
bd246 a b c.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD246/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -10A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -45V(Min)- BD246; -60V(Min)- BD246A -80V(Min)- BD246B; -100V(Min)- BD246C Complement to Type BD245/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching
bd246-a-b-c.pdf

BD246, BD246A, BD246B, BD246CPNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGEBD245 Series (TOP VIEW) 80 W at 25C Case TemperatureB1 10 A Continuous Collector CurrentC 2 15 A Peak Collector Current Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute maxi
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
Popular searches
j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a