Справочник транзисторов. BD250B

 

Биполярный транзистор BD250B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD250B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BD250B

 

 

BD250B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  cn sptech
bd250 bd250a bd250b bd250c.pdf

BD250B
BD250B

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor BD250/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -25ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)- BD250; -60V(Min)- BD250A(BR)CEO-80V(Min)- BD250B; -100V(Min)- BD250CComplement to Type BD249/A/B/CAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applicationsABSOLUTE

 ..2. Size:217K  inchange semiconductor
bd250 bd250a bd250b bd250c.pdf

BD250B
BD250B

isc Silicon PNP Power Transistor BD250/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -25ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)- BD250; -60V(Min)- BD250A(BR)CEO-80V(Min)- BD250B; -100V(Min)- BD250CComplement to Type BD249/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose

 9.1. Size:87K  bourns
bd250-a-b-c.pdf

BD250B
BD250B

BD250, BD250A, BD250B, BD250CPNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE(TOP VIEW)BD249 Series 125 W at 25C Case TemperatureB1 25 A Continuous Collector CurrentC 2 40 A Peak Collector Current Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute ma

 9.2. Size:131K  mospec
bd249 bd250.pdf

BD250B
BD250B

AAA

 9.3. Size:122K  inchange semiconductor
bd250 a b c.pdf

BD250B
BD250B

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD250/A/B/C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BD249/A/B/C 125 W at 25C case temperature 25 A continuous collector current PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum rat

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top