BD262 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD262

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD262

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD262 даташит

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
 bd262.pdf pdf_icon

BD262

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD262 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = CEO(SUS) -60V(Min.) DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -2A FE C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low-speed

Другие транзисторы: BD257-80, BD258, BD258-100, BD258-45, BD258-60, BD258-80, BD260, BD261, BDT88, BD262A, BD262B, BD262C, BD262L, BD263, BD263A, BD263B, BD263C