BD355 - описание и поиск аналогов

 

BD355. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD355

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BD355

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD355 даташит

 ..1. Size:132K  tesla
 kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf pdf_icon

BD355

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 bd355.pdf pdf_icon

BD355

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD355 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Saturation Voltage- V )= -1.0V(Max)@ I = -2.0A CE(sat C Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD354 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general pu

Другие транзисторы: BD350B, BD351, BD351A, BD351B, BD354, BD354A, BD354B, BD354C, 13009, BD355A, BD355B, BD355C, BD356, BD357, BD358, BD359, BD361

 

 

 

 

↑ Back to Top
.