BD375 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD375  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD375

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD375 даташит

 ..1. Size:42K  fairchild semi
 bd375 bd377 bd379.pdf pdf_icon

BD375

BD375/377/379 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively TO-126 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD375 50 V BD377 75 V BD379 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD375

 ..2. Size:157K  inchange semiconductor
 bd375 bd377 bd379.pdf pdf_icon

BD375

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD375/377/379 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 20(Min)@ IC= 1A Complement to Type BD376/378/380 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD375 50 VCBO Collector-Base Voltage BD377 75 V

 0.1. Size:251K  shantou-huashan
 hsbd375.pdf pdf_icon

BD375

Другие транзисторы: BD373C, BD373C-10, BD373C-16, BD373C-6, BD373D, BD373D-10, BD373D-16, BD373D-6, BC337, BD375-10, BD375-16, BD375-25, BD375-6, BD376, BD376-10, BD376-16, BD376-25