Справочник транзисторов. BD378-25

 

Биполярный транзистор BD378-25 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD378-25
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD378-25

 

 

BD378-25 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:42K  fairchild semi
bd376 bd378 bd380.pdf

BD378-25
BD378-25

BD376/378/380Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD375, BD377 and BD379 respectivelyTO-1261PNP Epitaxial Silicon Transistor1. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : BD376 - 50 V: BD378 - 75 V: BD380 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : B

 9.2. Size:51K  samsung
bd376 bd378 bd380.pdf

BD378-25
BD378-25

BD376/378/380 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMEDIUM POWER LINEAR ANDTO-126SWITCHING APPLICATIONS Complement to BD375, BD377 and BD379 respectivelyABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage : BD376 VCBO - 50 V. : BD378 - 75 V : BD380 - 100 V Collector Emitter Voltage : BD376 VCEO - 45 V1. Emitter 2.Collector 3.Base : BD378 - 60

 9.3. Size:251K  shantou-huashan
hsbd378.pdf

BD378-25

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD378 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

 9.4. Size:157K  inchange semiconductor
bd376 bd378 bd380 .pdf

BD378-25
BD378-25

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD376/378/380 DESCRIPTION DC Current Gain- : hFE= 20(Min)@ IC= -1A Complement to Type BD375/377/379 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD376 -50 VCBO Collector-Base Voltage BD378 -75

 9.5. Size:214K  inchange semiconductor
bd376 bd378 bd380.pdf

BD378-25
BD378-25

isc Silicon PNP Power Transistors BD376/378/380DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 20(Min)@ I = -1AFE CComplement to Type BD375/377/379Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power linear and switchingapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITBD376 -50V Col

Другие транзисторы... BD377 , BD377-10 , BD377-16 , BD377-25 , BD377-6 , BD378 , BD378-10 , BD378-16 , BC548 , BD378-6 , BD379 , BD379-10 , BD379-16 , BD379-25 , BD379-6 , BD380 , BD380-10 .

 

 
Back to Top