BD581. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD581

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD581

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD581 даташит

 ..1. Size:749K  motorola
bd575 bd577 bd579 bd581.pdfpdf_icon

BD581

Другие транзисторы: BD567, BD567A, BD575, BD576, BD577, BD578, BD579, BD580, 9014, BD582, BD585, BD586, BD587, BD588, BD589, BD590, BD591