2N1015D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1015D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: MT38-2

 Аналоги (замена) для 2N1015D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1015D даташит

 9.1. Size:261K  rca
 2n1010.pdf pdf_icon

2N1015D

 9.2. Size:287K  rca
 2n794 2n795 2n796 2n1014 2n1213 2n1214 2n1215 2n1216.pdf pdf_icon

2N1015D

Другие транзисторы: 2N101-13, 2N1012, 2N1013, 2N1014, 2N1015, 2N1015A, 2N1015B, 2N1015C, 2SD313, 2N1015E, 2N1015F, 2N1016, 2N1016A, 2N1016B, 2N1016C, 2N1016D, 2N1016E