Биполярный транзистор BD676 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD676
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO126
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BD676 Datasheet (PDF)
bd676 bd678 bd680 bd682.pdf

Order this documentMOTOROLAby BD676/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD676BD676APlastic Medium-PowerBD678Silicon PNP DarlingtonsBD678A. . . for use as output devices in complementary generalpurpose amplifier applica-BD680tions. High DC Current Gain BD680AhFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic ConstructionBD682 BD676, 676A, 678, 678A, 680
bd676 bd678 bd680 bd682 bd684 a.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS BD676, 676ABD678, 678ABD680, 680ABD682, 684TO126 Plastic PackageECBFor Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications.COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683BD678, 678A, 680, 680A ARE E
bd676.pdf

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD676DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = -45 V(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min) @ I = -1.5 AFE CComplement to Type BD675Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementarygeneral-purpose amplifier
bd676 bd678 bd680.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darligton Power Transistors BD676/BD678/BD680 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type BD675/BD677/BD679 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use as output devices in complementary generalpurpose amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD956F | BCP55-16T | BD751 | BD900A | BD828-10 | BD792 | BCP5616TC
History: BD956F | BCP55-16T | BD751 | BD900A | BD828-10 | BD792 | BCP5616TC



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414