BD676 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD676  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD676

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD676 даташит

 ..1. Size:110K  motorola
bd676 bd678 bd680 bd682.pdfpdf_icon

BD676

Order this document MOTOROLA by BD676/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD676 BD676A Plastic Medium-Power BD678 Silicon PNP Darlingtons BD678A . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- BD680 tions. High DC Current Gain BD680A hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic Construction BD682 BD676, 676A, 678, 678A, 680

 ..2. Size:117K  cdil
bd676 bd678 bd680 bd682 bd684 a.pdfpdf_icon

BD676

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS BD676, 676A BD678, 678A BD680, 680A BD682, 684 TO126 Plastic Package E C B For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications. COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683 BD678, 678A, 680, 680A ARE E

 ..3. Size:189K  inchange semiconductor
bd676.pdfpdf_icon

BD676

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD676 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = -45 V (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -1.5 A FE C Complement to Type BD675 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier

 ..4. Size:118K  inchange semiconductor
bd676 bd678 bd680.pdfpdf_icon

BD676

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Darligton Power Transistors BD676/BD678/BD680 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type BD675/BD677/BD679 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to

Другие транзисторы: BD663A, BD663B, BD664, BD664A, BD664B, BD675, BD675A, BD675H, 2SD718, BD676A, BD676H, BD677, BD677A, BD677H, BD678, BD678A, BD678H