BD682 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BD682
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO126
BD682 Datasheet (PDF)
bd676 bd678 bd680 bd682.pdf
Order this document MOTOROLA by BD676/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD676 BD676A Plastic Medium-Power BD678 Silicon PNP Darlingtons BD678A . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- BD680 tions. High DC Current Gain BD680A hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic Construction BD682 BD676, 676A, 678, 678A, 680
bd677a bd679a bd681 bd678a bd680a bd682.pdf
BD677/A/679/A/681 BD678/A/680/A/682 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 2 EQUIPMENT 3 SOT-32 DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epi
bd677 bd677a bd678 bd678a bd679 bd679a bd680 bd680a bd681 bd682.pdf
BD677/A/679/A681 BD678/A/680/A/682 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec SOT-32 plastic package. They are intended for use in medium power linar and switching applications 1 2
bd676a bd678a bd680a bd682.pdf
BD676A/678A/680A/682 Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively TO-126 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD676A - 45 V BD678A - 60 V
Другие транзисторы... BD678H , BD679 , BD679A , BD679H , BD680 , BD680A , BD680H , BD681 , TIP35C , BD683 , BD684 , BD695 , BD695A , BD696 , BD696A , BD697 , BD697A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645










