BD682 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD682  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD682

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD682 даташит

 ..1. Size:110K  motorola
bd676 bd678 bd680 bd682.pdfpdf_icon

BD682

Order this document MOTOROLA by BD676/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD676 BD676A Plastic Medium-Power BD678 Silicon PNP Darlingtons BD678A . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- BD680 tions. High DC Current Gain BD680A hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic Construction BD682 BD676, 676A, 678, 678A, 680

 ..2. Size:87K  st
bd677a bd679a bd681 bd678a bd680a bd682.pdfpdf_icon

BD682

BD677/A/679/A/681 BD678/A/680/A/682 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 2 EQUIPMENT 3 SOT-32 DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epi

 ..3. Size:41K  st
bd677 bd677a bd678 bd678a bd679 bd679a bd680 bd680a bd681 bd682.pdfpdf_icon

BD682

BD677/A/679/A681 BD678/A/680/A/682 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The BD677, BD677A, BD679, BD679A and BD681 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec SOT-32 plastic package. They are intended for use in medium power linar and switching applications 1 2

 ..4. Size:42K  fairchild semi
bd676a bd678a bd680a bd682.pdfpdf_icon

BD682

BD676A/678A/680A/682 Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD675A, BD677A, BD679A and BD681 respectively TO-126 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD676A - 45 V BD678A - 60 V

Другие транзисторы: BD678H, BD679, BD679A, BD679H, BD680, BD680A, BD680H, BD681, TIP35C, BD683, BD684, BD695, BD695A, BD696, BD696A, BD697, BD697A