Справочник транзисторов. BD683

 

Биполярный транзистор BD683 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD683
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD683

 

 

BD683 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  comset
bd684 bd683.pdf

BD683
BD683

PNP BD684 NPN BD683 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORSThe BD684 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit-VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V-VCBO Collector-Base Voltage 120 V-VEBO E

 ..2. Size:176K  cdil
bd675 bd677 bd679 bd681 bd683.pdf

BD683
BD683

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTORS BD675, BD675ABD677, BD677ABD679, BD679ABD681, BD683TO126 Plastic PackageECBComplementary BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 & 684ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BD675 677 679 681 683 UNITSBD675A 677A 679AVCBOCollector B

 ..3. Size:208K  inchange semiconductor
bd683.pdf

BD683
BD683

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD683DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 120V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min)@ I = 1.5AFE CComplement to Type BD684Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementary

 0.1. Size:64K  comset
bd683a.pdf

BD683
BD683

NPN BD683 BD683A SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD683 and BD683A are NPN eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. PNP complements are BD684 and BD684A. Compliance to RoHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VCB

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: KF423

 

 
Back to Top