BD684 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD684  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD684

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD684 даташит

 ..1. Size:72K  comset
bd684 bd683.pdfpdf_icon

BD684

PNP BD684 NPN BD683 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit -VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V -VCBO Collector-Base Voltage 120 V -VEBO E

 ..2. Size:117K  cdil
bd676 bd678 bd680 bd682 bd684 a.pdfpdf_icon

BD684

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS BD676, 676A BD678, 678A BD680, 680A BD682, 684 TO126 Plastic Package E C B For Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications. COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683 BD678, 678A, 680, 680A ARE E

 ..3. Size:189K  inchange semiconductor
bd684.pdfpdf_icon

BD684

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD684 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = -120V (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -1.5 A FE C Complement to Type BD683 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and video output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 0.1. Size:64K  comset
bd684a.pdfpdf_icon

BD684

PNP BD684 BD684A SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 and BD684A are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 and BD683A. Compliance to RoHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VC

Другие транзисторы: BD679A, BD679H, BD680, BD680A, BD680H, BD681, BD682, BD683, 8050, BD695, BD695A, BD696, BD696A, BD697, BD697A, BD698, BD698A