Биполярный транзистор BD711 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD711
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BD711 Datasheet (PDF)
bd707 bd708 bd709 bd711 bd712.pdf

BD707/709/711BD708/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709 and BD711 are siliconEpitaxial-Base NPN power transistors in Jedec32TO-220 plastic package. They are intented for1use in power linear and switching applications.The BD707 and BD711 compl
bd707 bd708 bd709 bd710 bd711 bd712.pdf

BD707/709/711BD708/710/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICESAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe BD707, BD709, and BD711 are silicon32epitaxial-base NPN power transistors in Jedec1TO-220 plastic package, intented for use inpower linear and switching applications.TO
bd711.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BD711DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min.)=CEO(SUS)Complement to Type BD712Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power linear and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =
bd707 bd709 bd711.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD707 BD709 BD711 DESCRIPTION With TO-220C package The BD707 and BD711are respectively complement to type BD708 and BD712 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute m
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: TPC6D03 | BD681G | BD882-O | BD683A
History: TPC6D03 | BD681G | BD882-O | BD683A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706