BD743F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD743F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 170 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD743F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD743F даташит

 9.1. Size:88K  bourns
 bd743-a-b-c.pdf pdf_icon

BD743F

BD743, BD743A, BD743B, BD743C NPN SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the BD744 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 90 W at 25 C Case Temperature 15 A Continuous Collector Current B 1 20 A Peak Collector Current C 2 Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maxim

 9.2. Size:43K  jmnic
 bd743 bd743a bd743b bd743c.pdf pdf_icon

BD743F

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BD743/A/B/C DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD744/A/B/C High current capability High power dissipation APPLICATIONS For use in power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ra

 9.3. Size:210K  inchange semiconductor
 bd743a.pdf pdf_icon

BD743F

isc Silicon NPN Power Transistor BD743A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 90W@ I = 25 C C 15A Continuous Collector Current Complement to Type BD744A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier

 9.4. Size:210K  inchange semiconductor
 bd743c.pdf pdf_icon

BD743F

isc Silicon NPN Power Transistor BD743C DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 90W@ I = 25 C C 15A Continuous Collector Current Complement to Type BD744C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD737, BD738, BD743, BD743A, BD743B, BD743C, BD743D, BD743E, D882P, BD744, BD744A, BD744B, BD744C, BD744D, BD744E, BD744F, BD745