BD744E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD744E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD744E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD744E даташит

 9.1. Size:86K  bourns
 bd744-a-b-c.pdf pdf_icon

BD744E

BD744, BD744A, BD744B, BD744C PNP SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the BD743 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 90 W at 25 C Case Temperature 15 A Continuous Collector Current B 1 20 A Peak Collector Current C 2 Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maxim

 9.2. Size:215K  inchange semiconductor
 bd744a.pdf pdf_icon

BD744E

isc Silicon PNP Power Transistor BD744A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 90W@ I = 25 C C 15A Continuous Collector Current Complement to Type BD743A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifie

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
 bd744b.pdf pdf_icon

BD744E

isc Silicon PNP Power Transistor BD744B DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 90W@ I = 25 C C 15A Continuous Collector Current Complement to Type BD743B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifie

 9.4. Size:212K  inchange semiconductor
 bd744c.pdf pdf_icon

BD744E

isc Silicon PNP Power Transistor BD744C DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 90W@ I = 25 C C 15A Continuous Collector Current Complement to Type BD743C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD743D, BD743E, BD743F, BD744, BD744A, BD744B, BD744C, BD744D, BD333, BD744F, BD745, BD745A, BD745B, BD745C, BD745D, BD745E, BD745F