BD779. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD779

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD779

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD779 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD751, BD751A, BD751B, BD751C, BD775, BD776, BD777, BD778, 13009, BD780, BD785, BD786, BD787, BD788, BD789, BD790, BD791