BD813. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD813

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD813

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD813 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809, BD810, BC558, BD813A, BD814, BD814A, BD815, BD815A, BD816, BD816A, BD817