Справочник транзисторов. BD825-6

 

Биполярный транзистор BD825-6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD825-6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD825-6 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:51K  philips
 bd825 bd829.pdf pdf_icon

BD825-6

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd825.pdf pdf_icon

BD825-6

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD825DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD826Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD817 , BD817A , BD818 , BD818A , BD825 , BD825-10 , BD825-16 , BD825-25 , D882P , BD825A , BD825B , BD826 , BD826-10 , BD826-16 , BD826-25 , BD826-6 , BD826A .

 

 
Back to Top

 


 
.