Справочник транзисторов. BD827-10

 

Биполярный транзистор BD827-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD827-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для BD827-10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD827-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd827.pdf pdf_icon

BD827-10

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD827DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD828Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD826 , BD826-10 , BD826-16 , BD826-25 , BD826-6 , BD826A , BD826B , BD827 , D882P , BD827-16 , BD827-25 , BD827-6 , BD827A , BD827B , BD828 , BD828-10 , BD828-16 .

 

 
Back to Top

 


 
.