BD828-16. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD828-16

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD828-16

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD828-16 даташит

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd828.pdf pdf_icon

BD828-16

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD828 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD827 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD827-10, BD827-16, BD827-25, BD827-6, BD827A, BD827B, BD828, BD828-10, 2N2907, BD828-25, BD828-6, BD828A, BD828B, BD829, BD829-10, BD829-16, BD829-25