BD829-25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD829-25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD829-25

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD829-25 даташит

 9.1. Size:51K  philips
 bd825 bd829.pdf pdf_icon

BD829-25

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD825; BD829 NPN power transistors Product specification 1998 May 29 Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistors BD825; BD829 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd829.pdf pdf_icon

BD829-25

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD829 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD828-16, BD828-25, BD828-6, BD828A, BD828B, BD829, BD829-10, BD829-16, BD136, BD829-6, BD829A, BD829B, BD830, BD830-10, BD830-16, BD830-25, BD830-6