Справочник транзисторов. BD830-6

 

Биполярный транзистор BD830-6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD830-6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD830-6

 

 

BD830-6 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  philips
 bd830.pdf

BD830-6 BD830-6

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD830PNP power transistorProduct specification 1999 Apr 21Supersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationPNP power transistor BD830FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2 collector, connected to metal part ofAPPLICATIONS mounti

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd830.pdf

BD830-6 BD830-6

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD830DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD829Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD829-25 , BD829-6 , BD829A , BD829B , BD830 , BD830-10 , BD830-16 , BD830-25 , TIP41C , BD830A , BD830B , BD833 , BD834 , BD835 , BD836 , BD837 , BD838 .

History: DME20501

 

 
Back to Top