BD830-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD830-6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD830-6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD830-6 даташит

 9.1. Size:50K  philips
 bd830.pdf pdf_icon

BD830-6

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD830 PNP power transistor Product specification 1999 Apr 21 Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification PNP power transistor BD830 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2 collector, connected to metal part of APPLICATIONS mounti

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd830.pdf pdf_icon

BD830-6

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD830 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD829 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD829-25, BD829-6, BD829A, BD829B, BD830, BD830-10, BD830-16, BD830-25, BC547, BD830A, BD830B, BD833, BD834, BD835, BD836, BD837, BD838