BD835. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD835

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD835

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD835 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD830-10, BD830-16, BD830-25, BD830-6, BD830A, BD830B, BD833, BD834, 2N2222, BD836, BD837, BD838, BD839, BD840, BD841, BD842, BD843