BD850. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD850

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD850

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD850 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD842, BD843, BD844, BD845, BD846, BD847, BD848, BD849, BD140, BD861, BD862, BD863, BD864, BD865, BD866, BD875, BD876