BD875. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD875

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD875

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD875 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD849, BD850, BD861, BD862, BD863, BD864, BD865, BD866, A1941, BD876, BD877, BD878, BD879, BD880, BD895, BD895A, BD896