BD896. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD896

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD896

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD896 даташит

 ..1. Size:121K  inchange semiconductor
 bd896 bd898 bd900 bd902.pdf pdf_icon

BD896

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896/898/900/902 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895/897/899/901 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd896.pdf pdf_icon

BD896

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD896 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = -3A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD895 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation AP

 0.1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd896a.pdf pdf_icon

BD896

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD896A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = -4A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD895A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

 0.2. Size:120K  inchange semiconductor
 bd896a bd898a bd900a.pdf pdf_icon

BD896

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896A/898A/900A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895A/897A/901A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD875, BD876, BD877, BD878, BD879, BD880, BD895, BD895A, BC327, BD896A, BD897, BD897A, BD898, BD898A, BD899, BD899A, BD900