Справочник транзисторов. BD896

 

Биполярный транзистор BD896 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD896
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD896

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD896 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  inchange semiconductor
 bd896 bd898 bd900 bd902.pdf pdf_icon

BD896

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896/898/900/902 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895/897/899/901 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd896.pdf pdf_icon

BD896

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD896DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -3AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD895Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAP

 0.1. Size:212K  inchange semiconductor
 bd896a.pdf pdf_icon

BD896

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD896ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -4AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD895AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation

 0.2. Size:120K  inchange semiconductor
 bd896a bd898a bd900a.pdf pdf_icon

BD896

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896A/898A/900A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895A/897A/901A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CSC3199BL | M8124

 

 
Back to Top

 


 
.