2N2906ACSM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2906ACSM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: LCC3

 Аналоги (замена) для 2N2906ACSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2906ACSM даташит

 7.1. Size:52K  philips
 2n2906 2n2906a 2.pdf pdf_icon

2N2906ACSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2906; 2N2906A PNP switching transistors 1997 Jun 02 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP switching transistors 2N2906; 2N2906A FEATURES PINNING High current (max. 600 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 emitte

 7.2. Size:226K  cdil
 2n2906a 07a.pdf pdf_icon

2N2906ACSM

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS 2N2906A 2N2907A TO-18 Switching And Linear Application DC to VHF Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL 2N2906A, 07A UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Collector -Base Voltage VCBO 60 V Emitter -Base Voltage VEBO 5.0 V

 7.3. Size:100K  microsemi
 2n2906aub.pdf pdf_icon

2N2906ACSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2906A 2N2907A JANSD 10K Rads (Si) 2N2906AL 2N2907AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2906AUA 2N2907AUA JANS

 7.4. Size:100K  microsemi
 2n2906aua.pdf pdf_icon

2N2906ACSM

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2906A 2N2907A JANSD 10K Rads (Si) 2N2906AL 2N2907AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2906AUA 2N2907AUA JANS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2904S, 2N2905, 2N2905A, 2N2905AL, 2N2905L, 2N2905S, 2N2906, 2N2906A, NJW0281G, 2N2906ADCSM, 2N2906AQF, 2N2906CSM, 2N2907, 2N2907A, 2N2907ACSM, 2N2907ACSM4, 2N2907AQF